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面對挑戰(zhàn) 國產(chǎn)大存儲崛起能否取得成功?

2017-06-02 17:05:36

      不久前,美國商務(wù)部長Wilbur Ross在接受路透社記者采訪時表示: “半導(dǎo)體是美國優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)之一,但目前營業(yè)狀況已從大量盈余走向赤字,大不如前。相比中國有一項1500億美元的半導(dǎo)體投資計劃,從現(xiàn)在一直計劃至2025年,這太可怕了。”
      即使連美國商務(wù)部長都感覺到害怕,但這并不代表中國半導(dǎo)體自此可以無憂無慮了。1500億美元的投資只是中國發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)的一個必不可少的條件,1500億美元的巨額投資并保證一定能成功,同樣存在隨時失敗的可能性,挑戰(zhàn)和機遇并存。
      作為中國半導(dǎo)體戰(zhàn)略的實踐者,對于紫光集團來說,有利的外部條件是,以尖端制程工藝為代表的半導(dǎo)體技術(shù)正在逐漸發(fā)生轉(zhuǎn)變,從對制程工藝的追求轉(zhuǎn)向空間架構(gòu)的變化,從2D轉(zhuǎn)向3D,而3D所采用的恰恰是上一代的制程工藝技術(shù),與國際先進水平相比,中國在制程工藝上落后一代半,3D轉(zhuǎn)向趨勢,讓中國和世界處在了同一起跑線上。簡而言之,3D已經(jīng)進入了我們發(fā)展范圍,加上國力強大,機遇千載難逢。
       通過收購,紫光集團落實國家戰(zhàn)略,加大了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入,其中,3D NAND絕對是重點中的重點,對此,還有了一個專業(yè)的詞匯:國產(chǎn)大存儲,也稱中國存儲力量。其核心就是DRAM和NAND的制造。
        國產(chǎn)大存儲能夠取得突破和成功嗎?
        前不久,有“爆料稱:日本硅晶圓大廠Sumco砍掉了大陸NOR Flash廠——武漢新芯的硅晶圓訂單,優(yōu)先供貨給英特爾、臺積電、美光(Micron)等大廠,明顯偏向美、日,只怕會讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足的窘境。
        所謂硅晶圓、NORFlash,與我們這里說的3D NAND是個什么關(guān)系呢?
        經(jīng)過專家指點,硅晶圓是NOR Flash存儲芯片的基礎(chǔ),NOR Flash又是NAND Flash的基礎(chǔ)。我們所熟悉的閃存顆粒(NAND)制造商,美光、三星、東芝等,在NOR Flash的基礎(chǔ)上經(jīng)過光刻制造而成的,他們的NOR Flash也是來自其他供貨商。NOR Flash又是在硅晶圓基礎(chǔ)上光刻制造而成的,目前全球有4家主要的硅晶圓制造商,其中,日系2家,歐洲一家,還有一家來自中國臺灣。目前中國大陸制造的硅晶圓,還達不到后續(xù)制造的標(biāo)準(zhǔn)。
        國產(chǎn)大存儲崛起,很多地方都有可能被“卡脖子”,從硅晶圓到制程工藝,從半導(dǎo)體材料到光刻技術(shù),總之困難多多。但是縱有千辛萬苦,國產(chǎn)大存儲是時代的選擇!

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