從單元角度來看，電阻式內存元件在設備面積減小時仍會產(chǎn)生同樣的導通電流，但是關閉電流會被降低。導通電流和關閉電流的比率通常從幾百到超過1000。它也改善了傳感范圍，使得以更少的復雜CMOS外設電路進行傳感以及在更小的技術尺寸實現(xiàn)MLC/TLC成為可能。Crossbar ReRAM絲基電阻式內存元件能把單元尺寸擴展到10納米以下。

有兩項工藝參數(shù)非常重要——轉換材料的膜厚（TSL）和轉換電極的關鍵尺寸（CD）。這些參數(shù)通過使用當今最尖端的制造設備可以很容易地得以控制，包括當今20-40納米尺寸晶圓代工廠中所使用的光刻、PECVD薄膜沉積、以及金屬刻蝕機臺。

CrossbarReRAM能夠使用與制造基于CMOS的外設電路一樣的整套設備，內存元件可以在低溫工藝下嵌入。ReRAM單元嵌入的熱預算不會對CMOS器件性能產(chǎn)生影響。取決于內存的種類，ReRAM層通常可以在多達16個堆棧的熱預算下正常工作，而不會給器件性能帶來顯著的改變。3D ReRAM堆棧與3D NAND堆棧截然不同，它可以非常容易地使用后端整合來實現(xiàn)。



本文關鍵詞：CrossbarReRAM

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